Gelişmiş bellek teknolojisinde dünya lideri olan Samsung, bir terabitlik (Tb) üç seviyeli hücre yani Triple-level cell (TLC) 9. nesil dikey NAND (V-NAND) için seri üretime başladığını duyurdu. Samsung, 8. Nesil V-NAND’a göre yüzde 33‘lük bir artış sunan 9. Nesil V-NAND flash belleklerde bit yoğunluğunda da yaklaşık yüzde 50 artış kaydettiğini açıkladı. Sektörün ilk 9. Nesil V-NAND üretimi başladı
Yaklaşık bir hafta önce Samsung’un 9. Nesil V-NAND flaş belleklerde üretime geçtiğinden bahsetmiştik. Dolayısıyla resmi bir açıklamanın zaten gelmesini bekliyorduk. Bununla birlikte Samsung, bu ay TCL NAND üretimine başladığını ve dört seviyeli hücre yani Quad-level cell (QLC) yongalarının yılın ikinci yarısında seri üretime gireceğini bildirdi. Yine önceki haberimizde Samsung’un 9. Nesil V-NAND belleklerde katman sayısını 290 seviyesine yükselteceğini aktarmıştık. Bu bilgi ne yazık ki şimdilik doğrulanmış değil zira Samsung, yaptığı duyuruda bu detaya değinmedi.
Samsung, sektörün ilk 9. nesil V-NAND belleklerle gelecek yapay zeka neslinin ihtiyaçlarını karşılayan yüksek performanslı, yüksek yoğunluklu SSD pazarının trendini belirleyeceklerini söylüyor. Firma, yeni nesil belleğinde hücre mimarisi ve operasyonel şemada sınırları zorladıklarının altını çizerken bit yoğunluğunu 8. nesil V-NAND’a kıyasla yaklaşık yüzde 50 oranında artırdıklarını belirtti.
Buna ek olarak, Samsung’un gelişmiş “channel hole etching” teknolojisi ile üretim sürecinde de önemli bir inovasyona imza atıyor. Samsung rakam vermese de bu teknoloji ile çift istifli bir yapıda sektörün en yüksek hücre katmanı sayısına ulaşıldığını ve üretim verimliliğinin üst düzeye çıkarıldığını söylüyor.
Samsung ayrıca yeni nesil NAND flaş arayüzü Toggle 5.1 ile veri giriş/çıkış hızlarını yüzde 33 oranında artırarak saniyede 3,2 gigabite (Gbps) kadar çıkabildiklerinin altını çiziyor. Bu yeni arayüzle birlikte Samsung, PCIe 5.0 desteğini genişleterek yüksek performanslı SSD pazarındaki konumunu sağlamlaştırmayı planlıyor. Güç tüketimi de bir önceki nesle kıyasla yüzde 10 oranında iyileştirildi.
